Полезно

Изготовление изделий микроэлектроники с помощью вакуумного напыления

By 24 сентября, 2020No Comments

Вакуумное напыление пленок

Вакуумная металлизация

Вакуумная металлизация

Вакуумная металлизация сегодня широко распространена при изготовлении ИМС — интегральных микросхем, дискретных полупроводниковых приборов, иных изделий микроэлектроники.

Собственно процесс формирования структур современных транзисторов, диодов, других элементов ИМС возможен практически лишь с использованием вакуумного напыления, как проводящих элементов — обычно это напыление меди, так и изолирующих диэлектриков многослойных структур.

Это гарантирует получение качественных тонкопленочных слоев с воспроизводимыми электрофизическими параметрами.

Вакуумное напыление пленок

Вакуумное напыление пленок

Вакуумное напыление пленок малой толщины — сложный физико-химический процесс, реализующий соединение совершенно разнородных материалов, имеющих аморфную, а также поликристаллическую или кристаллическую структуру.

Несмотря на это, сцепление тонкопленочных структур с прослойками и подложками имеет высокую степень надежности, поскольку адгезия слоев, полученная при применении таких технологий, происходит на уровне атомов и молекул, и эти соединения фактически имеют прочность, свойственную однородным материалам.

При этом обеспечивается равномерность нанесения тонкой пленки, строгое соблюдение ее толщины в любом месте обрабатываемой поверхности.

Процесс напыления тонких пленок в вакууме являет собой создание (генерацию) потока частиц, направленно двигающихся под действием магнитных полей в сторону подложки, их последующей концентрации и осаждения на поверхности основы.

При этом используют методы либо магнетронного, либо ионно-плазменного распыления металла, что позволяет получить поверхностные пленки самых разнообразных структур и составов, в том числе, и при низкотемпературной газофазной эпитаксии.

Совершенство современных технологических процессов напыления таких пленок обуславливает получение надежных и качественных изделий микроэлектроники.