Вакуумное напыление пленок
Вакуумная металлизация
Вакуумная металлизация сегодня широко распространена при изготовлении ИМС — интегральных микросхем, дискретных полупроводниковых приборов, иных изделий микроэлектроники.
Собственно процесс формирования структур современных транзисторов, диодов, других элементов ИМС возможен практически лишь с использованием вакуумного напыления, как проводящих элементов — обычно это напыление меди, так и изолирующих диэлектриков многослойных структур.
Это гарантирует получение качественных тонкопленочных слоев с воспроизводимыми электрофизическими параметрами.
Вакуумное напыление пленок
Вакуумное напыление пленок малой толщины — сложный физико-химический процесс, реализующий соединение совершенно разнородных материалов, имеющих аморфную, а также поликристаллическую или кристаллическую структуру.
Несмотря на это, сцепление тонкопленочных структур с прослойками и подложками имеет высокую степень надежности, поскольку адгезия слоев, полученная при применении таких технологий, происходит на уровне атомов и молекул, и эти соединения фактически имеют прочность, свойственную однородным материалам.
При этом обеспечивается равномерность нанесения тонкой пленки, строгое соблюдение ее толщины в любом месте обрабатываемой поверхности.
Процесс напыления тонких пленок в вакууме являет собой создание (генерацию) потока частиц, направленно двигающихся под действием магнитных полей в сторону подложки, их последующей концентрации и осаждения на поверхности основы.
При этом используют методы либо магнетронного, либо ионно-плазменного распыления металла, что позволяет получить поверхностные пленки самых разнообразных структур и составов, в том числе, и при низкотемпературной газофазной эпитаксии.
Совершенство современных технологических процессов напыления таких пленок обуславливает получение надежных и качественных изделий микроэлектроники.
